1.
적용분야 광범위
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70여 모델
:광범위한 용량,주파수,기능의 다양성
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각 종 열처리,풀림,용접,용해,합금 제조,소결,열간 성형,열박음,접합,납땜,은납땜
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부양용해,게터 처리,병마개,접합,반도체
성장 및 확산,진공용해,예비가열 등등
2.
고효율 / 초고속 :DC chopper 제어 방식(400kw)
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변환부를 고주파 스윗칭형으로 초소형화(1/3),경량화(1/5)
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초고속화,무소음화,초정밀급 가능,전원 영향 적음
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0.002 ~ 0.02초 이내 초고속 제어(일반적 :0.2 ~ 0.05초)
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역율 :0.94이상 (SCR위상제어 :0.3 ~ 0.6)
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자동공진 제어 :고효율,저 노이즈(일반의 1/5 ~
10)
3.
편리성
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PID 제어앰프 및 회로 기본 내장 :자동 온도 조절 및 컴퓨터 인터페이스 조절
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정전압,정전류,정전력(선택) 제어
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시간,연동 제어 기본 내장
4.
안전성
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타 장비(자동화 기기,컴퓨터) 영향이 거의 없음
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저 전압,절연으로 감전 위험 거의 없음
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전원 변동 제어,내 노이즈,내 진동
5.
적용성
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고품위,고성능,안정성
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장비 주변기기 / 부품 내장으로 외관 간결함
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선진국 제품에 필적한 성능과 신뢰성,탁월한
경제성
6.
신뢰성
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산업분야 전반의 양산 설비와 연규용에 걸친 다양한 응용 분야에 600여대 이상 납품 및 운용 실적과 여러 분야의 응용 노하우 축적.
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26년간 연구,
개발 경험 (발명 특허,실용신안 외 다수)
7.
수출실적 :미국,독일,일본,이태리,중국,대만,태국,사우디 등 다수
8.
연구실적
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1986 ~ :반도체 고주파 가열장치 개발(MOSFET,국내 최소,300k급)
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1991 :100kw급 고주파 가열장치 개발(IGBT 타입)
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1996 :급속 소결 장치[통전연수합성소결] (펄스파워 :세계
최소)
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2001 :SIC(차세대 반도체) 단결정 생산용 고주파 가열장치
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2004 :티타늄 아크용해로용 직류 전원장치(생산기술연구원,1,500KVA)
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2005 :플라즈마용 파워 서플라이 (DC chopper방식,300kw :세계 최초)
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2009 :플라즈마용 파워 서플라이 (DC chopper방식,미국 수출)
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2009 :반도체 제조용 파워 서플라이 (IGBT,SMPS 방식)
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2009~11 :반도체 제조용 파워 서플라이 (IGBT,SCR 방식,수출)