고주파가열기, 고주파유도가열기, 열처리, 단조, 진공용해, 브레이징, 부양용해, 급속소결기, 프라즈마장치

1.     적용분야 광범위 -       70여 모델 : 광범위한 용량, 주파수, 기능의 다양성 -       각 종 열처리, 풀림, 용접, 용해, 합금 제조, 소결, 열간 성형, 열박음, 접합, 납땜, 은납땜 -       부양용해, 게터 처리, 병마개, 접합, 반도체 성장 및 확산, 진공용해, 예비가열 등등 2.     고효율 / 초고속 : DC chopper 제어 방식(400kw) -       변환부를 고주파 스윗칭형으로 초소형화(1/3), 경량화(1/5) -       초고속화, 무소음화, 초정밀급 가능, 전원 영향 적음 -       0.002 ~ 0.02초 이내 초고속 제어(일반적 : 0.2 ~ 0.05초) -       역율 : 0.94이상 (SCR위상제어 : 0.3 ~ 0.6) -       자동공진 제어 : 고효율, 저 노이즈(일반의 1/5 ~ 10)         3.     편리성 -       PID 제어앰프 및 회로 기본 내장 : 자동 온도 조절 및 컴퓨터 인터페이스 조절 -       정전압, 정전류, 정전력(선택) 제어 -       시간, 연동 제어 기본 내장          4.     안전성 -       타 장비(자동화 기기, 컴퓨터) 영향이 거의 없음 -       저 전압, 절연으로 감전 위험 거의 없음 -       전원 변동 제어, 내 노이즈, 내 진동        5.     적용성 -       고품위, 고성능, 안정성 -       장비 주변기기 / 부품 내장으로 외관 간결함 -       선진국 제품에 필적한 성능과 신뢰성, 탁월한 경제성   6.     신뢰성 -       산업분야 전반의 양산 설비와 연규용에 걸친 다양한 응용 분야에 600여대 이상 납품 및 운용 실적과 여러 분야의 응용 노하우 축적. -       26년간 연구, 개발 경험 (발명 특허, 실용신안 외 다수)       7.     수출실적 : 미국, 독일, 일본, 이태리, 중국, 대만, 태국, 사우디 등 다수   8.     연구실적 -       1986 ~ : 반도체 고주파 가열장치 개발(MOSFET, 국내 최소, 300k급) -       1991 : 100kw급 고주파 가열장치 개발(IGBT 타입) -       1996 : 급속 소결 장치[통전연수합성소결] (펄스파워 : 세계 최소) -       2001 : SIC(차세대 반도체) 단결정 생산용 고주파 가열장치 -       2004 : 티타늄 아크용해로용 직류 전원장치(생산기술연구원, 1,500KVA) -       2005 : 플라즈마용 파워 서플라이 (DC chopper방식, 300kw : 세계 최초) -       2009 : 플라즈마용 파워 서플라이 (DC chopper방식, 미국 수출) -       2009 : 반도체 제조용 파워 서플라이 (IGBT, SMPS 방식) -       2009~11 : 반도체 제조용 파워 서플라이 (IGBT, SCR 방식, 수출)